STMicroelectronics SCT0 MOSFET, 30 A, 1.2 kV, 3-Pin Hip-247 SCT070W120G3AG
- RS Stock No.:
- 330-234
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT070W120G3AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB764.18
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB817.67
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB764.18 |
| 10 - 99 | THB687.98 |
| 100 + | THB634.09 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 330-234
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT070W120G3AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1.2kV | |
| Package Type | Hip-247 | |
| Series | SCT0 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 63mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 18V | |
| Forward Voltage Vf | 3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 41nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 236W | |
| Maximum Operating Temperature | 200°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV | ||
Package Type Hip-247 | ||
Series SCT0 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 63mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 18V | ||
Forward Voltage Vf 3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 236W | ||
Maximum Operating Temperature 200°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using STs advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
AEC-Q101 qualified
Very low RDS(on) over the entire temperature range
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
Very high operating junction temperature capability TJ equal to 200 °C
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4 N-Channel MOSFET 1.2 kV, 3-Pin Hip-247 SCTWA40N120G2V-4
- STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4 N-Channel MOSFET 1.2 kV, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCT040W120G3AG
- STMicroelectronics SCTW40N N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCTW40N120G2V
- STMicroelectronics SCTW70N N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCTW70N120G2V
- STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCTW60N120G2
- STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCT025W120G3AG
- STMicroelectronics SCT0 MOSFET 1.2 kV, 7-Pin HU3PAK SCT019HU120G3AG
