STMicroelectronics SCT0 MOSFET, 90 A, 1200 V HU3PAK SCT019H120G3AG
- RS Stock No.:
- 330-318
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT019H120G3AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB1,289.47
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,379.73
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 28 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB1,289.47 |
| 10 - 99 | THB1,160.33 |
| 100 + | THB1,070.27 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 330-318
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT019H120G3AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 90A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | HU3PAK | |
| Series | SCT0 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 18.5mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 555W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 90A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type HU3PAK | ||
Series SCT0 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 18.5mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 555W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using STs advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
AEC-Q101 qualified
Very low RDS(on) over the entire temperature range
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
Source sensing pin for increased efficiency
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics SCT0 MOSFET 1200 V, 7-Pin HU3PAK SCT019HU120G3AG
- STMicroelectronics SCT0 MOSFET 1200 V, 3-Pin Hip-247 SCT070W120G3AG
- STMicroelectronics SCT0 Power MOSFET 650 V, 7-Pin HU3PAK SCT027HU65G3AG
- STMicroelectronics SCT0 Type N-Channel MOSFET 1200 V, 7-Pin H2PAK-7 SCT020H120G3AG
- Wolfspeed Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 C2M0025120D
- Wolfspeed Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel Power MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel Power MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK SCT070HU120G3AG
