onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 50 A, 650 V N, 4-Pin TO-247-4L NTH4L032N065M3S
- RS Stock No.:
- 327-805
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTH4L032N065M3S
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB284.02
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB303.90
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 435 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB284.02 |
| 10 - 99 | THB255.82 |
| 100 - 499 | THB235.53 |
| 500 - 999 | THB218.71 |
| 1000 + | THB177.64 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 327-805
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTH4L032N065M3S
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 50A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | NTH | |
| Package Type | TO-247-4L | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 44mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Forward Voltage Vf | 6V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 55nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 187W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free 2LI | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 50A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series NTH | ||
Package Type TO-247-4L | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 44mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Forward Voltage Vf 6V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 55nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 187W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free 2LI | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The ON Semiconductor Silicon Carbide (SiC) MOSFET, EliteSiC, is a 650 V, 32 mΩ device in the M3S TO247-4L package. It features ultra-low gate charge (QG(tot) = 55 nC) and high-speed switching with low capacitance (Coss = 114 pF). The device is 100% avalanche tested and is halide-free and RoHS compliant with exemption 7a. It is also Pb-free on the second-level interconnection, making it suitable for demanding power electronics applications.
High efficiency and reduced switching losses
Robust and reliable operation in harsh environments
Ideal for automotive industrial and renewable energy applications
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 650 V N, 3-Pin TO-247-4L NTHL032N065M3S
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247-4L NTH4L023N065M3S
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V N, 4-Pin TO-247
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V N, 4-Pin TO-247 NTH4L022N120M3S
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247-4L NTH4L013N120M3S
- onsemi NVH Type N-Channel MOSFET 650 V N, 4-Pin TO-247-4L NVH4L032N065M3S
- onsemi NVH Type N-Channel MOSFET 650 V N, 4-Pin TO-247-4L NVH4L023N065M3S
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 7-Pin TO-247-4L NTH4L018N075SC1