onsemi NVH N-Channel MOSFET, 50 A, 650 V N, 4-Pin TO-247-4L NVH4L023N065M3S
- RS Stock No.:
- 327-806
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVH4L023N065M3S
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB685.81
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB733.82
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 446 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 14 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB685.81 |
| 10 - 99 | THB617.03 |
| 100 + | THB569.03 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 327-806
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVH4L023N065M3S
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 50A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-247-4L | |
| Series | NVH | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 44mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 187W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 55nC | |
| Forward Voltage Vf | 4.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free 2LI | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 50A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-247-4L | ||
Series NVH | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 44mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 187W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 55nC | ||
Forward Voltage Vf 4.5V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free 2LI | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The ON Semiconductor Silicon Carbide (SiC) MOSFET, EliteSiC, is a 650 V, 23 mΩ device in the M3S TO-247-4L package. It is designed for high-efficiency, high-performance power conversion, providing low on-resistance and fast switching. Ideal for applications in automotive, industrial, and renewable energy systems, this MOSFET ensures reliable operation under demanding conditions.
Devices are Pb Free and are RoHS Compliant
Qualified for Automotive According to AEC Q101
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NVH N-Channel MOSFET 650 V N, 4-Pin TO-247-4L NVH4L032N065M3S
- onsemi NVH N-Channel MOSFET 650 V N, 3-Pin TO-247-4L NVHL023N065M3S
- onsemi NTH N-Channel MOSFET 650 V N, 4-Pin TO-247-4L NTH4L032N065M3S
- onsemi NVH N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- onsemi NVH N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- onsemi NVH N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- onsemi NVH N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NVH4L020N120SC1
- onsemi NVH N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NVH4L160N120SC1