onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 151 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247-4L NTH4L013N120M3S
- RS Stock No.:
- 220-567
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTH4L013N120M3S
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 1 ชิ้น)*
THB971.33
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,039.32
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 362 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
แพ็ค | ต่อแพ็ค |
|---|---|
| 1 - 9 | THB971.33 |
| 10 - 99 | THB874.35 |
| 100 + | THB806.32 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 220-567
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTH4L013N120M3S
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 151A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | NTH | |
| Package Type | TO-247-4L | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 682W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 254nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 4.7V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 5mm | |
| Length | 16.2mm | |
| Standards/Approvals | Halide Free and RoHS with Exemption 7a | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 151A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series NTH | ||
Package Type TO-247-4L | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 682W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 254nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 4.7V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 5mm | ||
Length 16.2mm | ||
Standards/Approvals Halide Free and RoHS with Exemption 7a | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The ON Semiconductor MOSFETs is optimized for fast switching applications. Planar technology works reliably with negative gate voltage drive and turn off spikes on the gate. This family has optimum performance when driven with 18V gate drive but also works well with 15V gate drive.
Halide Free
RoHS Compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247-4L NTH4L023N065M3S
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 7-Pin TO-247-4L NTH4L018N075SC1
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NTH4L080N120SC1
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NTHL040N120SC1
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NTH4L160N120SC1