onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 68 A, 1200 V N, 4-Pin TO-247

RS Stock No.:: 233-6853
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NTH4L022N120M3S
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 68 A, 1200 V N, 4-Pin TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 450 ชิ้น)*

THB226,530.45

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB242,387.55

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
450 - 450	THB503.401	THB226,530.45
900 - 900	THB493.333	THB221,999.85
1350 +	THB483.466	THB217,559.70

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 233-6853
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NTH4L022N120M3S
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	68A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1200V
	Package Type	TO-247
	Series	NTH
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	30mΩ
	Channel Mode	N
	Maximum Power Dissipation Pd	325W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-0.45 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	151nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	15.8mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Height	41.36mm
	Width	5.2 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 68A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V
	Package Type TO-247
	Series NTH
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 30mΩ
	Channel Mode N
	Maximum Power Dissipation Pd 325W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -0.45 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 151nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 15.8mm
	Standards/Approvals RoHS
	Height 41.36mm
	Width 5.2 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - NTH4L022N120M3S

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L

The ON Semiconductor NTH4L022N120M3S is SiC power, single N-Channel MOSFET. It is available in a TO247-4L package. With Drain to Source voltage of 1200 V and continuous drain current of 68 A, the NTH4L022N120M3S is used in applications like Solar Inverters, Electric Vehicle Charging Stations, UPS (Uninterruptible Power Supplies), Energy Storage Systems, SMPS (Switch Mode Power Supplies).

The typical RDS(on) for this device is 22 mꭥ with VGS of 18 V

The device offers low switching losses

It is 100% avalanche tested

onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 68 A, 1200 V N, 4-Pin TO-247

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง