onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 67 A, 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247-4L NTH4L023N065M3S
- RS Stock No.:
- 277-043
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTH4L023N065M3S
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB347.36
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB371.68
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB347.36 |
| 10 - 99 | THB312.72 |
| 100 - 499 | THB288.47 |
| 500 - 999 | THB267.69 |
| 1000 + | THB217.22 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 277-043
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTH4L023N065M3S
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 67A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-247-4L | |
| Series | NTH | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 23mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 245W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 69nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Forward Voltage Vf | 6V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free 2LI | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 67A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-247-4L | ||
Series NTH | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 23mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 245W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 69nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Forward Voltage Vf 6V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free 2LI | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The ON Semiconductor SiC MOSFETs is optimized for fast switching applications. Planar technology works reliably with negative gate voltage drive and turn off spikes on the gate. This has optimum performance when driven with 18V gate drive but also works well with 15V gate drive.
Ultra low gate charge
High speed switching with low capacitance
100% avalanche tested
Device is Halide Free and RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247-4L NTH4L013N120M3S
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 650 V N, 4-Pin TO-247-4L NTH4L032N065M3S
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 650 V N, 3-Pin TO-247-4L NTHL032N065M3S
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 7-Pin TO-247-4L NTH4L018N075SC1
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247