onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 68 A, 1200 V N, 4-Pin TO-247 NTH4L022N120M3S
- RS Stock No.:
- 233-6854
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTH4L022N120M3S
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB595.40
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB637.08
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 283 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB595.40 |
| 10 - 49 | THB583.37 |
| 50 - 99 | THB571.68 |
| 100 - 199 | THB560.34 |
| 200 + | THB549.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 233-6854
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTH4L022N120M3S
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 68A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | NTH | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 30mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 151nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 325W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -0.45 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 41.36mm | |
| Width | 5.2 mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 15.8mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 68A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series NTH | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 30mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 151nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 325W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -0.45 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 41.36mm | ||
Width 5.2 mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 15.8mm | ||
Automotive Standard No | ||
Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L
The ON Semiconductor NTH4L022N120M3S is SiC power, single N-Channel MOSFET. It is available in a TO247-4L package. With Drain to Source voltage of 1200 V and continuous drain current of 68 A, the NTH4L022N120M3S is used in applications like Solar Inverters, Electric Vehicle Charging Stations, UPS (Uninterruptible Power Supplies), Energy Storage Systems, SMPS (Switch Mode Power Supplies).
The typical RDS(on) for this device is 22 mꭥ with VGS of 18 V
The device offers low switching losses
It is 100% avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V N, 4-Pin TO-247
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 650 V N, 4-Pin TO-247-4L NTH4L032N065M3S
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-247
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-247 NTH4L025N065SC1
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-247 NTH4L075N065SC1
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-247 NTHL015N065SC1
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247