onsemi NXH Type P, Type N-Channel MOSFET, 192 A, 1.2 kV Enhancement, 44-Pin PIM44 NXH600B100H4Q2F2PG
- RS Stock No.:
- 277-057
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NXH600B100H4Q2F2PG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB10,651.14
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB11,396.72
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 36 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 + | THB10,651.14 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 277-057
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NXH600B100H4Q2F2PG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P, Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 192A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1.2kV | |
| Package Type | PIM44 | |
| Series | NXH | |
| Mount Type | Snap-in | |
| Pin Count | 44 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.55V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 511W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 766nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P, Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 192A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV | ||
Package Type PIM44 | ||
Series NXH | ||
Mount Type Snap-in | ||
Pin Count 44 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1.55V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 511W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 766nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor Hybrid Three Channel Symmetric Boost Module features two 1000V, 200A IGBTs and two 1200V, 60A SiC diodes per channel, along with an NTC thermistor for temperature monitoring. The module utilizes trench with field stop technology for high efficiency, significantly reducing switching losses and system power dissipation. Its design provides high power density, making it suitable for demanding power applications that require optimal performance and thermal management.
Low inductive layout
Low package height
Pb free
Halide free and RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NXH N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 34-Pin PIM34 NXH011F120M3F2PTHG
- onsemi NXH N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 34-Pin PIM34 NXH007F120M3F2PTHG
- onsemi NXH N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 36-Pin PIM36 NXH006P120M3F2PTHG
- onsemi NXH N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 29-Pin PIM29 NXH008T120M3F2PTHG
- onsemi NXH N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 18-Pin PIM18 NXH008P120M3F1PTG
- onsemi NXH N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 18-Pin PIM18 NXH015P120M3F1PTG
- onsemi NXH N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 22-Pin PIM22 NXH030F120M3F1PTG
- onsemi NXH N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 18-Pin PIM18 NXH010P120M3F1PTG
