onsemi NXH Type N-Channel MOSFET, 129 A, 1200 V Enhancement, 29-Pin PIM29 NXH008T120M3F2PTHG
- RS Stock No.:
- 220-552
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NXH008T120M3F2PTHG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 1 ชิ้น)*
THB9,488.46
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB10,152.65
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 20 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
แพ็ค | ต่อแพ็ค |
|---|---|
| 1 + | THB9,488.46 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 220-552
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NXH008T120M3F2PTHG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 129A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | PIM29 | |
| Series | NXH | |
| Pin Count | 29 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 11.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 371W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 454nC | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Forward Voltage Vf | 4.8V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 56.7mm | |
| Width | 42.5 mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 129A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type PIM29 | ||
Series NXH | ||
Pin Count 29 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 11.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 371W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 454nC | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Forward Voltage Vf 4.8V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 56.7mm | ||
Width 42.5 mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor MOSFET is a power module containing an 8 m ohm / 1200 V SiC MOSFET TNPC and a thermistor with HPS DBC in an F2 package.
Halogen Free
RoHS Compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 34-Pin PIM34 NXH007F120M3F2PTHG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 18-Pin PIM18 NXH030P120M3F1PTG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 18-Pin PIM18 NXH010P120M3F1PTG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 36-Pin PIM36 NXH006P120M3F2PTHG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 18-Pin PIM18 NXH008P120M3F1PTG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 18-Pin PIM18 NXH015P120M3F1PTG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 22-Pin PIM22 NXH030F120M3F1PTG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 34-Pin PIM34 NXH011F120M3F2PTHG
