onsemi NXH Type N-Channel MOSFET, 145 A, 1200 V Enhancement, 18-Pin PIM18 NXH008P120M3F1PTG
- RS Stock No.:
- 277-050
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NXH008P120M3F1PTG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB5,099.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB5,456.46
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 + | THB5,099.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 277-050
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NXH008P120M3F1PTG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 145A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | NXH | |
| Package Type | PIM18 | |
| Mount Type | Snap-in | |
| Pin Count | 18 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 10.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Forward Voltage Vf | 6.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 419nC | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 34.2W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 145A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series NXH | ||
Package Type PIM18 | ||
Mount Type Snap-in | ||
Pin Count 18 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 10.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Forward Voltage Vf 6.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 419nC | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 34.2W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor Power Module contains an 8 mΩ, 1200V SiC MOSFET half-bridge and a thermistor, all housed in an F1 package. This module is designed for high-efficiency power applications, making it ideal for use in solar inverters, uninterruptible power supplies (UPS), electric vehicle charging stations, and industrial power systems.
Press fit pins
Pb free
Halide free and RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 18-Pin PIM18 NXH010P120M3F1PTG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 18-Pin PIM18 NXH030P120M3F1PTG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 18-Pin PIM18 NXH015P120M3F1PTG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 34-Pin PIM34 NXH007F120M3F2PTHG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 36-Pin PIM36 NXH006P120M3F2PTHG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 29-Pin PIM29 NXH008T120M3F2PTHG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 22-Pin PIM22 NXH030F120M3F1PTG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 34-Pin PIM34 NXH011F120M3F2PTHG
