onsemi NXH Type N-Channel MOSFET, 191 A, 1200 V Enhancement, 36-Pin PIM36 NXH006P120M3F2PTHG
- RS Stock No.:
- 220-575
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NXH006P120M3F2PTHG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 1 ชิ้น)*
THB5,577.19
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB5,967.59
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 20 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
แพ็ค | ต่อแพ็ค |
|---|---|
| 1 + | THB5,577.19 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 220-575
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NXH006P120M3F2PTHG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 191A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | PIM36 | |
| Series | NXH | |
| Pin Count | 36 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 556W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 622nC | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Forward Voltage Vf | 7.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 16.5mm | |
| Length | 51mm | |
| Width | 62.8 mm | |
| Standards/Approvals | Halide Free, RoHS, Pb-Free | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 191A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type PIM36 | ||
Series NXH | ||
Pin Count 36 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 556W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 622nC | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Forward Voltage Vf 7.5V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 16.5mm | ||
Length 51mm | ||
Width 62.8 mm | ||
Standards/Approvals Halide Free, RoHS, Pb-Free | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor MOSFET is a power module containing 6 m ohm / 1200 V SiC MOSFET half−bridge and a thermistor with HPS DBC in an F2 package.
Halogen Free
RoHS Compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 34-Pin PIM34 NXH007F120M3F2PTHG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 18-Pin PIM18 NXH030P120M3F1PTG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 18-Pin PIM18 NXH010P120M3F1PTG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 29-Pin PIM29 NXH008T120M3F2PTHG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 18-Pin PIM18 NXH008P120M3F1PTG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 18-Pin PIM18 NXH015P120M3F1PTG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 22-Pin PIM22 NXH030F120M3F1PTG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 34-Pin PIM34 NXH011F120M3F2PTHG
