onsemi NXH Type N-Channel MOSFET, 38 A, 1200 V Enhancement, 22-Pin PIM22 NXH030F120M3F1PTG
- RS Stock No.:
- 277-054
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NXH030F120M3F1PTG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB3,497.31
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,742.12
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 28 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB3,497.31 |
| 10 + | THB3,147.48 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 277-054
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NXH030F120M3F1PTG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 38A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | PIM22 | |
| Series | NXH | |
| Mount Type | Snap-in | |
| Pin Count | 22 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 38.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Forward Voltage Vf | 6V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 110nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 34.2W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 38A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type PIM22 | ||
Series NXH | ||
Mount Type Snap-in | ||
Pin Count 22 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 38.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Forward Voltage Vf 6V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 110nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 34.2W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor Power Module contains a 30 mΩ, 1200V SiC MOSFET full-bridge and a thermistor, featuring an Al2O3 DBC (Direct Bonded Copper) in an F1 package. This high-performance module is designed for efficient power conversion and is ideal for applications such as solar inverters, uninterruptible power supplies (UPS), electric vehicle charging stations, and industrial power systems.
Pb free
Halide free and RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 34-Pin PIM34 NXH007F120M3F2PTHG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 36-Pin PIM36 NXH006P120M3F2PTHG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 18-Pin PIM18 NXH030P120M3F1PTG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 18-Pin PIM18 NXH010P120M3F1PTG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 29-Pin PIM29 NXH008T120M3F2PTHG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 18-Pin PIM18 NXH008P120M3F1PTG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 18-Pin PIM18 NXH015P120M3F1PTG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 34-Pin PIM34 NXH011F120M3F2PTHG
