onsemi NTB Type N-Channel MOSFET, 70 A, 650 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG023N065M3S

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB342.41

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB366.38

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 800 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB342.41
10 - 99THB308.27
100 - 499THB284.02
500 - 999THB263.73
1000 +THB214.25

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
277-040
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NTBG023N065M3S
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

70A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-263

Series

NTB

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

23mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

6V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

69nC

Maximum Power Dissipation Pd

263W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

9.2mm

Height

15.4mm

Width

9.9 mm

Standards/Approvals

RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI (on Second Level Interconnection)

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The ON Semiconductor SiC MOSFETs is optimized for fast switching applications. Planar technology works reliably with negative gate voltage drive and turn off spikes on the gate. This has optimum performance when driven with 18V gate drive but also works well with 15V gate drive.

Ultra low gate charge

High speed switching with low capacitance

100% avalanche tested

Device is Halide Free and RoHS compliant

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง