ROHM RD3 N-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3G08CBKHRBTL
- RS Stock No.:
- 265-416
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RD3G08CBKHRBTL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 10 ชิ้น)*
THB624.90
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB668.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 2,490 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | THB62.49 | THB624.90 |
| 100 - 240 | THB59.372 | THB593.72 |
| 250 - 490 | THB54.979 | THB549.79 |
| 500 - 990 | THB50.588 | THB505.88 |
| 1000 + | THB48.742 | THB487.42 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 265-416
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RD3G08CBKHRBTL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | RD3 | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 41nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 96W | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series RD3 | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 96W | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM Automotive grade MOSFET is AEC-Q101 qualified, making it an excellent choice for Advanced Driver Assistance Systems, infotainment, lighting, and body applications. Its robust design ensures reliable performance in critical automotive environments.
Pb free lead plating
RoHS compliant
100 percent avalanche tested
Low on resistance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM RD3 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3L04BBKHRBTL
- ROHM RD3 N-Channel Single MOSFETs 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3L04BBLHRBTL
- ROHM RD3 N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3P04BBKHRBTL
- ROHM RD3 Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3G08BBJHRBTL
- STMicroelectronics DeepGate 80 A 3-Pin TO-252 STD80N4F6
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP039N04LGXKSA1
- Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB80N04S2H4ATMA2
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220