STMicroelectronics DeepGate, STripFET Type N-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 165-6582
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD80N4F6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB88,440.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB94,630.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB35.376 | THB88,440.00 |
| 5000 - 7500 | THB34.315 | THB85,787.50 |
| 10000 + | THB33.285 | THB83,212.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 165-6582
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD80N4F6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | DeepGate, STripFET | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 36nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 70W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 2.4mm | |
| Length | 6.6mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series DeepGate, STripFET | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 70W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 2.4mm | ||
Length 6.6mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics DeepGate 80 A 3-Pin TO-252 STD80N4F6
- STMicroelectronics DeepGate 120 A 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics DeepGate 110 A 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics DeepGate 110 A 3-Pin H2PAK
- STMicroelectronics DeepGate 120 A 3-Pin TO-220 STP260N6F6
- STMicroelectronics DeepGate 110 A 3-Pin TO-220 STP240N10F7
- STMicroelectronics DeepGate 110 A 3-Pin H2PAK STH150N10F7-2
- STMicroelectronics DeepGate 5 A 8-Pin SOIC
