ROHM RD3 Type P-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3G08BBJHRBTL
- RS Stock No.:
- 265-415
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RD3G08BBJHRBTL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 10 ชิ้น)*
THB673.93
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB721.11
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,490 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | THB67.393 | THB673.93 |
| 100 - 240 | THB64.028 | THB640.28 |
| 250 + | THB59.328 | THB593.28 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 265-415
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RD3G08BBJHRBTL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | RD3 | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 142W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 145nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series RD3 | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 142W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 145nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM Automotive grade MOSFET is AEC-Q101 qualified, making it an excellent choice for Advanced Driver Assistance Systems, infotainment, lighting, and body applications. Its robust design ensures reliable performance in critical automotive environments.
Pb free lead plating
RoHS compliant
100 percent avalanche tested
Low on resistance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM RD3 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3G08CBKHRBTL
- ROHM RD3 Type P-Channel Single MOSFETs 3-Pin TO-252 RD3L03BBJHRBTL
- ROHM RD3 Type P-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO-252
- ROHM RD3 Type P-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO-252 RD3P130SPFRATL
- ROHM RD3 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3L04BBKHRBTL
- ROHM RD3 Type N-Channel Single MOSFETs 3-Pin TO-252 RD3P04BBKHRBTL
- ROHM RD3 Type N-Channel Single MOSFETs 3-Pin TO-252 RD3L04BBLHRBTL
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263