ROHM RD3 Type N-Channel Single MOSFETs, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3P04BBKHRBTL
- RS Stock No.:
- 646-544
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RD3P04BBKHRBTL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 10 ชิ้น)*
THB305.96
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB327.38
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 90 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | THB30.596 | THB305.96 |
| 100 - 490 | THB26.932 | THB269.32 |
| 500 - 990 | THB24.16 | THB241.60 |
| 1000 + | THB19.11 | THB191.10 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 646-544
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RD3P04BBKHRBTL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | RD3 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 30mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 9.1nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 53W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 2.3mm | |
| Width | 6.8 mm | |
| Standards/Approvals | RoHS, AEC-Q101 | |
| Length | 10.50mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series RD3 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 30mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9.1nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 53W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 2.3mm | ||
Width 6.8 mm | ||
Standards/Approvals RoHS, AEC-Q101 | ||
Length 10.50mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM P channel 100 volt 36 ampere power metal oxide semiconductor field effect transistor features lead free plating and is restriction of hazardous substances compliant. It is one hundred percent avalanche tested.
Low on-resistance
AEC-Q101 qualified
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM RD3 Type N-Channel Single MOSFETs 3-Pin TO-252 RD3L04BBLHRBTL
- ROHM RD3 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3G08CBKHRBTL
- ROHM RD3 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3L04BBKHRBTL
- ROHM RD3 Type P-Channel Single MOSFETs 3-Pin TO-252 RD3L03BBJHRBTL
- ROHM AG194FPD3HRB Type N-Channel Single MOSFETs 3-Pin TO-252 (TL) AG194FPD3HRBTL
- ROHM RF9P120BKFRA Type N-Channel Single MOSFETs 6-Pin DFN2020Y7LSAA RF9P120BKFRATCR
- ROHM RY7P250BM Type N-Channel Single MOSFETs 8-Pin DFN8080T8LSHAAI RY7P250BMTBC
- ROHM RQ3P120BKFRA Type N-Channel Single MOSFETs 8-Pin HSMT-8AG RQ3P120BKFRATCB
