Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB80N04S2H4ATMA2
- RS Stock No.:
- 217-2510
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB80N04S2H4ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB1,042.98
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,115.99
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 6,965 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 245 | THB208.596 | THB1,042.98 |
| 250 - 495 | THB203.382 | THB1,016.91 |
| 500 + | THB200.254 | THB1,001.27 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 217-2510
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB80N04S2H4ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | CoolMOS | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 51nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 129W | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 9.45 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.31mm | |
| Height | 4.57mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series CoolMOS | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 51nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 129W | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 9.45 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.31mm | ||
Height 4.57mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon 40V, N-Ch, 3.7 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMO.
N-channel - Enhancement mode
Automotive AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Ultra low Rds(on)
100% Avalanche tested
Green product (RoHS compliant)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB65R110CFDAATMA1
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 900 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 700 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263