STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 30 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT070H120G3-7
- RS Stock No.:
- 214-960
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT070H120G3-7
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB431,775.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB461,999.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 28 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 + | THB431.775 | THB431,775.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-960
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT070H120G3-7
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | H2PAK-7 | |
| Series | SCT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 63mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 37nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 224W | |
| Forward Voltage Vf | 3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 15.25mm | |
| Width | 10.4 mm | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type H2PAK-7 | ||
Series SCT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 63mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 37nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 224W | ||
Forward Voltage Vf 3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 15.25mm | ||
Width 10.4 mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT070H120G3-7
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT070H120G3AG
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT040H120G3AG
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT018H65G3AG
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 900 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT012H90G3AG