Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 19.7 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI4425DDY-T1-GE3

RS Stock No.:: 180-8062
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI4425DDY-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 19.7 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI4425DDY-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB470.64

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB503.58

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

2,780 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 620	THB23.532	THB470.64
640 - 1240	THB22.944	THB458.88
1260 +	THB22.59	THB451.80

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 180-8062
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI4425DDY-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	19.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	16.5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	27nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	3.6W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	5mm
	Width	6.2 mm
	Height	1.75mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 19.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series TrenchFET
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 16.5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 27nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 3.6W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 5mm
	Width 6.2 mm
	Height 1.75mm
	Automotive Standard No

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 30V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 9.8mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 5.7W and continuous drain current of 19.7A. The minimum and a maximum driving voltage for this MOSFET is 4.5V and 10V respectively. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications

• Desktop PCs

• Load switches

• Notebook PCs

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg tested