onsemi NDT Type P-Channel MOSFET, 5 A, 30 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 NDT452AP

RS Stock No.:: 671-1100
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NDT452AP
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi NDT Type P-Channel MOSFET, 5 A, 30 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 NDT452AP

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB208.12

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB222.69

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีสต็อกจำกัด

660 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 995	THB41.624	THB208.12
1000 - 1995	THB40.584	THB202.92
2000 +	THB39.958	THB199.79

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 671-1100
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NDT452AP
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	NDT
	Package Type	SOT-223
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	65mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	3W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	22nC
	Minimum Operating Temperature	-65°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	3.56 mm
	Height	1.6mm
	Standards/Approvals	No
	Length	6.5mm
	Automotive Standard	No
	Distrelec Product Id	304-43-741

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series NDT
	Package Type SOT-223
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 65mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 3W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC
	Minimum Operating Temperature -65°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 3.56 mm
	Height 1.6mm
	Standards/Approvals No
	Length 6.5mm
	Automotive Standard No
	Distrelec Product Id 304-43-741

Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.

Features and Benefits:

• Voltage controlled P-Channel small signal switch

• High-Density cell design

• High saturation current

• Superior switching

• Great rugged and reliable performance

• DMOS technology

Applications:

• Load Switching

• DC/DC converter

• Battery protection

• Power management control

• DC motor control

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.