จำหน่ายมอสเฟต (MOSFET) เบอร์ต่าง ๆ ราคาถูก คุณภาพสูง | RS
การค้าหาล่าสุด / Recently searched

    MOSFETs

    มอสเฟต (MOSFET) นวัตกรรมสำคัญในวงการอิเล็กทรอนิกส์

    โลกอิเล็กทรอนิกส์สมัยใหม่เต็มไปด้วยอุปกรณ์ที่น่าสนใจมากมาย และมีอุปกรณ์หนึ่งที่มีบทบาทสำคัญอย่างยิ่งในการพัฒนาเทคโนโลยีต่าง ๆ นั่นคือ "มอสเฟต" หรือ MOSFET ซึ่งเป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่มีความสำคัญในการควบคุมกระแสไฟฟ้าในวงจรอิเล็กทรอนิกส์ต่าง ๆ ก่อนเลือกใช้อุปกรณ์ชนิดนี้ในโรงงานอุตสาหกรรม มาทำความรู้จักกับ MOSFET อย่างละเอียด ตั้งแต่หลักการทำงานไปจนถึงการประยุกต์ใช้ในอุตสาหกรรมต่าง ๆ ได้ที่นี่

    MOSFET คืออะไร ?

    MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) เป็นอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ประเภททรานซิสเตอร์ที่ทำหน้าที่ควบคุมการไหลของกระแสไฟฟ้าระหว่างขั้วต่อสองขั้ว โดยอาศัยสนามไฟฟ้าในการควบคุม ซึ่งบ่งบอกถึงโครงสร้างและหลักการทำงานของอุปกรณ์นี้นั่นเอง

    มอสเฟตได้รับการพัฒนาขึ้นเพื่อแก้ไขข้อจำกัดของทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ โดยมีข้อได้เปรียบหลายประการ เช่น การใช้พลังงานต่ำ ความเร็วในการสวิตช์สูง และความสามารถในการรับกระแสไฟฟ้าได้มากกว่า ทำให้กลายเป็นอุปกรณ์ที่มีความสำคัญอย่างยิ่งในวงการอิเล็กทรอนิกส์สมัยใหม่

    MOSFET กับหลักการทำงานที่ควรรู้

    วงจรมอสเฟตทำงานโดยอาศัยหลักการควบคุมการไหลของกระแสไฟฟ้าระหว่างขั้ว Source และ Drain ด้วยการปรับแรงดันไฟฟ้าที่ขั้ว Gate ซึ่งเราสามารถสรุปหลักการทำงานของอุปกรณ์ชนิดนี้ได้ ดังนี้

    • การควบคุมด้วยสนามไฟฟ้า : เมื่อมีการป้อนแรงดันไฟฟ้าเข้าที่ขั้ว Gate จะเกิดสนามไฟฟ้าขึ้น ซึ่งจะควบคุมการไหลของกระแสระหว่าง Source และ Drain
    • การสร้างช่องทางนำไฟฟ้า : สนามไฟฟ้าที่เกิดขึ้นจะทำให้เกิดช่องทางนำไฟฟ้า (Channel) ระหว่าง Source และ Drain ยิ่งแรงดันที่ Gate สูงขึ้น ช่องทางนี้ก็จะกว้างขึ้น ทำให้กระแสไฟฟ้าไหลได้มากขึ้น
    • การทำงานแบบสวิตช์ : มอสเฟตสามารถทำงานเสมือนสวิตช์อิเล็กทรอนิกส์ได้ โดยการเปิดปิดการไหลของกระแสไฟฟ้าได้อย่างรวดเร็วและมีประสิทธิภาพ
    • โหมดการทำงานที่หลากหลาย : MOSFET มีโหมดการใช้งานหลัก 2 แบบ คือ โหมด Enhancement และโหมด Depletion ซึ่งแตกต่างกันที่สถานะเริ่มต้นของการนำกระแสไฟฟ้า

    ประโยชน์ของ MOSFET

    MOSFET ถือเป็นอุปกรณ์ที่มีประโยชน์มากมายในวงการอิเล็กทรอนิกส์ เนื่องจากมาพร้อมข้อดีต่าง ๆ มากมาย ได้แก่

    • มีประสิทธิภาพสูงแต่ใช้พลังงานน้อยกว่าทรานซิสเตอร์แบบอื่น ทำให้เหมาะสำหรับอุปกรณ์ที่ต้องการประหยัดพลังงานมากเป็นพิเศษ
    • สามารถเปลี่ยนสถานะได้อย่างรวดเร็ว ทำให้เหมาะกับการใช้งานในวงจรดิจิทัลความเร็วสูง
    • มีความทนทานต่อสัญญาณรบกวนสูง ทำให้เหมาะสำหรับการใช้งานในสภาพแวดล้อมที่มีสัญญาณรบกวนจำนวนมาก
    • สามารถผลิตให้มีขนาดเล็กมากได้ จึงนำไปใช้ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ขนาดเล็กได้อย่างมีประสิทธิภาพ
    • มอสเฟตมีให้เลือกใช้หลายชนิด เช่น N-channel และ P-channel รองรับการใช้งานในรูปแบบต่าง ๆ ได้อย่างครอบคลุมและหลากหลาย

    มอสเฟตมีกี่ชนิด ?

    MOSFET สามารถแบ่งออกเป็นหลายประเภทตามลักษณะการใช้งานและโครงสร้าง โดยประเภทหลัก ๆ มีดังต่อไปนี้

    • N-channel MOSFET : ใช้อิเล็กตรอนเป็นพาหะหลัก เหมาะสำหรับการควบคุมกระแสไฟฟ้าที่มีแรงดันบวก
    • P-channel MOSFET : ใช้โฮลเป็นพาหะหลัก เหมาะสำหรับการควบคุมกระแสไฟฟ้าที่มีแรงดันลบ
    • Enhancement-mode MOSFET : เป็นมอสเฟตที่ไม่นำกระแสเมื่อไม่มีแรงดันที่ขา Gate
    • Depletion-mode MOSFET : นำกระแสเมื่อไม่มีแรงดันที่ขา Gate และหยุดนำกระแสเมื่อมีแรงดันที่ขา Gate
    • Power MOSFET : ออกแบบมาเพื่อรองรับกระแสและแรงดันสูง เหมาะสำหรับงานที่ต้องการกำลังไฟฟ้าสูง

    นอกจากนี้ยังมีมอสเฟตเบอร์ต่าง ๆ ที่ออกแบบมาเพื่อการใช้งานเฉพาะทาง เช่น มอสเฟตสำหรับวงจรขยายเสียง หรือมอสเฟตสำหรับอินเวอร์เตอร์ ซึ่งแต่ละเบอร์จะมีคุณสมบัติที่เหมาะสมกับงานนั้น ๆ

    ตัวอย่างการประยุกต์ใช้ MOSFET ในอุตสาหกรรมต่าง ๆ

    อย่างที่กล่าวไปข้างต้นว่า MOSFET ทำหน้าที่สำคัญในวงจรอิเล็กทรอนิกส์หลายประเภท เช่น วงจรขยายเสียง วงจรสวิตช์กำลัง และวงจรแปลงไฟฟ้ากระแสตรงเป็นกระแสสลับ (อินเวอร์เตอร์) โดยความสามารถในการควบคุมกระแสไฟฟ้าอย่างแม่นยำทำให้มอสเฟตเป็นอุปกรณ์ที่มีประสิทธิภาพสูงในการจัดการพลังงานไฟฟ้า จึงมีการนำไปประยุกต์ใช้อย่างกว้างขวางในอุตสาหกรรมต่าง ๆ ตามตัวอย่างเหล่านี้

    อุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์

    ใช้เป็นส่วนประกอบหลักในการสร้างวงจรลอจิกและหน่วยความจำ สำหรับการผลิตหน่วยประมวลผล (CPU) และหน่วยความจำ (RAM) ของคอมพิวเตอร์ รวมถึงใช้ในวงจรขยายเสียงคุณภาพสูง เพื่อให้ได้เสียงที่คมชัดและลดปัญหาด้านความผิดเพี้ยน

    อุตสาหกรรมยานยนต์

    MOSFET นิยมนำไปใช้ในระบบควบคุมมอเตอร์ไฟฟ้าของรถยนต์ไฟฟ้า ช่วยให้สามารถควบคุมความเร็วและแรงบิดได้อย่างแม่นยำ นอกจากนี้ ยังมีบทบาทในระบบจุดระเบิดอิเล็กทรอนิกส์ในรถยนต์ทั่วไป โดยใช้ในการควบคุมการจ่ายกระแสไฟฟ้าแรงสูงให้แก่หัวเทียน

    อุตสาหกรรมพลังงานทดแทน

    กังหันลมผลิตไฟฟ้าใช้มอสเฟตในระบบควบคุมการผลิตไฟฟ้าให้มีประสิทธิภาพสูงสุด และมอสเฟตยังถูกนำไปใช้ในวงจรอินเวอร์เตอร์ของแผงโซลาร์เซลล์ เพื่อแปลงไฟฟ้ากระแสตรงเป็นกระแสสลับ ทำให้สามารถนำพลังงานจากแสงอาทิตย์มาใช้กับอุปกรณ์ไฟฟ้าทั่วไปได้ด้วย

    อุตสาหกรรมการแพทย์

    เครื่องกระตุ้นหัวใจด้วยไฟฟ้า (Pacemaker Implantation) ใช้มอสเฟตในวงจรควบคุมการปล่อยพัลส์ไฟฟ้า เพื่อให้สามารถควบคุมจังหวะการเต้นของหัวใจได้อย่างแม่นยำ ส่วนอุปกรณ์ช่วยฟังก็ใช้มอสเฟตในวงจรขยายเสียงขนาดเล็ก ช่วยให้ขยายเสียงได้อย่างมีประสิทธิภาพโดยใช้พลังงานต่ำ

    RS จำหน่าย MOSFET ทุกชนิดในราคาขายส่ง

    RS ผู้นำด้านโซลูชันอุตสาหกรรมและอิเล็กทรอนิกส์ จำหน่าย MOSFET คุณภาพเยี่ยมจากแบรนด์ชั้นนำที่ได้มาตรฐาน เช่น RS PRO, Infineon, STMicroelectronics มีสินค้าให้เลือกหลากหลาย ทั้ง N-channel MOSFET, P-channel MOSFET และ Power MOSFET ราคาคุ้มค่า ครอบคลุมทุกความต้องการของผู้ประกอบการ เลือกซื้อสินค้าได้สะดวกตลอด 24 ชม. บนเว็บไซต์ของเรา พร้อมบริการจัดส่งทั่วประเทศไทย หากต้องการคำแนะนำเพิ่มเติมเกี่ยวกับการเลือกใช้ MOSFET ที่เหมาะสมกับอุตสาหกรรมของคุณ สามารถปรึกษาผู้เชี่ยวชาญด้านผลิตภัณฑ์ของเราได้เลย

    18197 สินค้าที่แสดงสำหรับ MOSFETs

    DiodesZetex
    P
    10.5 A
    40 V
    85 mΩ
    DPAK (TO-252)
    -
    Surface Mount
    3
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    3V
    -
    8.9 W
    -
    Single
    6.7mm
    +150 °C
    1
    Si
    14 nC @ 10 V
    6.2mm
    Vishay
    N
    5.6 A
    100 V
    540 mΩ
    TO-220AB
    -
    Through Hole
    3
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    -
    2V
    43 W
    -
    Single
    10.41mm
    +175 °C
    1
    Si
    8.3 nC @ 10 V
    4.7mm
    Infineon
    N
    65 A
    200 V
    24 mΩ
    TO-220AB
    HEXFET
    Through Hole
    3
    -30 V, +30 V
    Enhancement
    5V
    3V
    330 W
    -
    Single
    10.66mm
    +175 °C
    1
    Si
    70 nC @ 10 V
    4.82mm
    Infineon
    P
    23 A
    100 V
    117 mΩ
    TO-247AC
    HEXFET
    Through Hole
    3
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    4V
    2V
    140 W
    -
    Single
    15.9mm
    +175 °C
    1
    Si
    97 nC @ 10 V
    5.3mm
    Infineon
    N
    83 A
    150 V
    15 mΩ
    TO-220AB
    HEXFET
    Through Hole
    3
    -30 V, +30 V
    Enhancement
    5V
    3V
    330 W
    -
    Single
    -
    +175 °C
    1
    Si
    72 nC @ 10 V
    -
    Infineon
    N
    72 A
    60 V
    -
    PG-TO 220 FP
    -
    Surface Mount
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    IXYS
    N
    70 A
    300 V
    26 mΩ
    ISOPLUS247
    Polar HiPerFET
    Through Hole
    3
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    5V
    3V
    300 W
    -
    -
    16.13mm
    +150 °C
    1
    -
    185 nC @ 10 V
    5.21mm
    Infineon
    N
    15 A
    1200 V
    -
    AG-EASY1B
    -
    Screw Mount
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    STMicroelectronics
    N
    26 A
    100 V
    70 mΩ
    TO-220
    STripFET
    Through Hole
    3
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    4V
    2V
    85 W
    -
    Single
    10.4mm
    +175 °C
    1
    Si
    30 nC @ 10 V
    4.6mm
    Vishay
    P
    6.8 A
    200 V
    500 mΩ
    D2PAK (TO-263)
    -
    Surface Mount
    3
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    -
    2V
    125 W
    -
    Single
    10.67mm
    +150 °C
    1
    Si
    44 nC @ 10 V
    9.65mm
    Nexperia
    N
    300 mA
    60 V
    5 Ω
    SOT-23 (TO-236AB)
    -
    Surface Mount
    3
    -30 V, +30 V
    Enhancement
    2.5V
    1V
    830 mW
    -
    Single
    3mm
    +150 °C
    1
    Si
    -
    1.4mm
    Vishay
    N
    20 A
    500 V
    270 mΩ
    TO-247AC
    -
    Through Hole
    3
    -30 V, +30 V
    Enhancement
    -
    3V
    250 W
    -
    Single
    15.87mm
    +150 °C
    1
    Si
    65 nC @ 10 V
    5.31mm
    Infineon
    N
    36 A
    100 V
    27 mΩ
    TO-220AB
    HEXFET
    Through Hole
    3
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    4V
    2V
    92 W
    -
    Single
    10.54mm
    +175 °C
    1
    Si
    42 nC @ 10 V
    4.69mm
    DiodesZetex
    N
    270 mA
    60 V
    5 Ω
    E-Line
    -
    Through Hole
    3
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    2.5V
    -
    625 mW
    -
    Single
    4.77mm
    +150 °C
    1
    Si
    -
    2.41mm
    Vishay
    N
    1.4 A
    1000 V
    11 Ω
    TO-220AB
    -
    Through Hole
    3
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    -
    2V
    54 W
    -
    Single
    10.41mm
    +150 °C
    1
    Si
    38 nC @ 10 V
    4.7mm
    Vishay
    N
    28 A
    100 V
    77 mΩ
    D2PAK (TO-263)
    -
    Surface Mount
    3
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    -
    2V
    3.7 W
    -
    Single
    10.67mm
    +175 °C
    1
    Si
    72 nC @ 10 V
    9.65mm
    Vishay
    P
    7.6 A
    30 V
    0.04 O
    SOT-23
    TrenchFET
    Surface Mount
    3
    -
    Enhancement
    2.5V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    -
    -
    Vishay
    N
    4.3 A
    60 V
    0.075 O
    SOT-23
    TrenchFET
    Surface Mount
    3
    -
    Enhancement
    2.5V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    -
    -
    Infineon
    N
    33 A
    100 V
    52 mΩ
    TO-247AC
    HEXFET
    Through Hole
    3
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    4V
    2V
    140 W
    -
    Single
    15.9mm
    +175 °C
    1
    Si
    94 nC @ 10 V
    5.3mm
    Infineon
    N
    160 A
    60 V
    4 mΩ
    TO-247AC
    HEXFET
    Through Hole
    3
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    4V
    2V
    220 W
    -
    Single
    15.87mm
    +175 °C
    1
    Si
    85 nC @ 10 V
    5.31mm
    ผลลัพธ์ต่อหน้า