STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 40 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247-4 SCT040W120G3-4

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB918.86

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB983.18

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 30 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 28 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 +THB918.86

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
214-958
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SCT040W120G3-4
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

Hip-247-4

Series

SCT

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

40mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

312W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

56nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1200V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-10 to 22 V

Maximum Operating Temperature

200°C

Standards/Approvals

RoHS, ECOPACK2

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

High speed switching performances

Very fast and robust intrinsic body diode

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง