Semikron Danfoss SKM100GB176D Dual Half Bridge IGBT Module, 125 A 1700 V, 7-Pin SEMITRANS2, Panel Mount

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB6,133.81

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB6,563.18

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 139 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB6,133.81
10 - 49THB6,073.70
50 - 99THB6,013.61
100 - 249THB5,954.07
250 +THB5,895.70

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
905-6172
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SKM100GB176D
ผู้ผลิต:
Semikron Danfoss
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Semikron Danfoss

Maximum Continuous Collector Current

125 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1700 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Configuration

Dual Half Bridge

Package Type

SEMITRANS2

Mounting Type

Panel Mount

Channel Type

N

Pin Count

7

Transistor Configuration

Series

Dimensions

94 x 34 x 30.5mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-40 °C

COO (Country of Origin):
SK

Dual IGBT Modules


A range of SEMITOP® IGBT modules from Semikron incorporating two series-connected (half bridge) IGBT devices. The modules are available in a wide range of voltage and current ratings and are suitable for a variety of power switching applications such as AC inverter motor drives and Uninterruptible Power Supplies.

Compact SEMITOP® package
Suitable for switching frequencies up to 12kHz
Insulated copper baseplate using Direct Bonded Copper technology

Supplied with

Mounting hardware


IGBT Modules, Semikron


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง