Semikron Danfoss SKM400GB176D, Type N-Channel IGBT Module, 430 A 1700 V, 7-Pin SEMITRANS, Panel

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB20,699.41

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB22,148.37

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 16 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
  • เพิ่มอีก 12 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 25 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB20,699.41
10 - 49THB20,292.53
50 - 99THB19,893.85
100 - 249THB19,502.76
250 +THB19,119.89

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
505-3245
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SKM400GB176D
ผู้ผลิต:
Semikron Danfoss
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Semikron Danfoss

Maximum Continuous Collector Current Ic

430A

Product Type

IGBT Module

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1700V

Number of Transistors

2

Package Type

SEMITRANS

Mount Type

Panel

Channel Type

Type N

Pin Count

7

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.4V

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Operating Temperature

-40°C

Length

106.4mm

Height

30mm

Width

61.4 mm

Series

SKM400GB176D

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Dual IGBT Modules


A range of SEMITOP® IGBT modules from Semikron incorporating two series-connected (half bridge) IGBT devices. The modules are available in a wide range of voltage and current ratings and are suitable for a variety of power switching applications such as AC inverter motor drives and Uninterruptible Power Supplies.

Compact SEMITOP® package

Suitable for switching frequencies up to 12kHz

Insulated copper baseplate using Direct Bonded Copper technology

IGBT Modules, Semikron


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง