Semikron Danfoss SKM195GB066D Dual Half Bridge IGBT Module, 265 A 600 V, 7-Pin SEMITRANS2, Panel Mount

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB4,261.84

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB4,560.17

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 19 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
  • เพิ่มอีก 16 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 06 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB4,261.84
10 - 49THB4,176.60
50 - 99THB4,093.06
100 - 249THB4,011.20
250 +THB3,930.97

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
505-3144
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SKM195GB066D
ผู้ผลิต:
Semikron Danfoss
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Semikron Danfoss

Maximum Continuous Collector Current

265 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Configuration

Dual Half Bridge

Package Type

SEMITRANS2

Mounting Type

Panel Mount

Channel Type

N

Pin Count

7

Transistor Configuration

Series

Dimensions

94 x 34 x 30.5mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Dual IGBT Modules


A range of SEMITOP® IGBT modules from Semikron incorporating two series-connected (half bridge) IGBT devices. The modules are available in a wide range of voltage and current ratings and are suitable for a variety of power switching applications such as AC inverter motor drives and Uninterruptible Power Supplies.

Compact SEMITOP® package
Suitable for switching frequencies up to 12kHz
Insulated copper baseplate using Direct Bonded Copper technology


IGBT Modules, Semikron


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง