Semikron Danfoss SKM75GB12V, Type N-Channel IGBT Module, 114 A 1200 V, 7-Pin SEMITRANS, Panel

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB3,753.71

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB4,016.47

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 13 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 25 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB3,753.71
10 - 49THB3,641.10
50 - 99THB3,528.49
100 - 249THB3,453.42
250 +THB3,378.36

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
905-6156
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SKM75GB12V
ผู้ผลิต:
Semikron Danfoss
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Semikron Danfoss

Product Type

IGBT Module

Maximum Continuous Collector Current Ic

114A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Number of Transistors

2

Package Type

SEMITRANS

Mount Type

Panel

Channel Type

Type N

Pin Count

7

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

175°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.3V

Maximum Operating Temperature

-40°C

Width

34 mm

Standards/Approvals

No

Length

94mm

Height

30.1mm

Series

SKM75GB12V

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
SK

Dual IGBT Modules


A range of SEMITOP® IGBT modules from Semikron incorporating two series-connected (half bridge) IGBT devices. The modules are available in a wide range of voltage and current ratings and are suitable for a variety of power switching applications such as AC inverter motor drives and Uninterruptible Power Supplies.

Compact SEMITOP® package

Suitable for switching frequencies up to 12kHz

Insulated copper baseplate using Direct Bonded Copper technology

IGBT Modules, Semikron


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Supplied with

Mounting hardware

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง