Semikron Danfoss SKM100GB12T4, Type N-Channel IGBT Module, 160 A 1200 V, 7-Pin SEMITRANS, Panel

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB3,732.59

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB3,993.87

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB3,732.59
10 - 49THB3,730.64
50 +THB3,524.64

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
687-4958
Distrelec หมายเลขบทความ:
171-01-152
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SKM100GB12T4
ผู้ผลิต:
Semikron Danfoss
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Semikron Danfoss

Maximum Continuous Collector Current Ic

160A

Product Type

IGBT Module

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Number of Transistors

2

Package Type

SEMITRANS

Mount Type

Panel

Channel Type

Type N

Pin Count

7

Switching Speed

20kHz

Minimum Operating Temperature

175°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.05V

Maximum Operating Temperature

-40°C

Series

SKM100GB12T4

Length

94mm

Standards/Approvals

No

Height

30.1mm

Width

34 mm

Automotive Standard

No

Dual IGBT Modules


A range of SEMITOP® IGBT modules from Semikron incorporating two series-connected (half bridge) IGBT devices. The modules are available in a wide range of voltage and current ratings and are suitable for a variety of power switching applications such as AC inverter motor drives and Uninterruptible Power Supplies.

Compact SEMITOP® package

Suitable for switching frequencies up to 12kHz

Insulated copper baseplate using Direct Bonded Copper technology

IGBT Modules, Semikron


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง