Semikron Danfoss SK 150 MLI 066 T Series IGBT Module, 151 A 600 V, 70-Pin SEMITOP4, Through Hole

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB7,840.69

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB8,389.54

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 1 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB7,840.69
10 - 49THB7,686.30
50 - 99THB7,535.33
100 +THB7,387.19

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
905-6166
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SK 150 MLI 066 T
ผู้ผลิต:
Semikron Danfoss
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Semikron Danfoss

Maximum Continuous Collector Current

151 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Package Type

SEMITOP4

Configuration

Series

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

70

Transistor Configuration

Series

Dimensions

55 x 60.25 x 15.08mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-40 °C

COO (Country of Origin):
IT

Quad IGBT Modules


The series configuration of these Semikron Quad IGBT modules makes them the perfect solution for applications which require a high performance 3-level topology. These compact PCB mounting SEMITOP 3 modules feature single hole fixing with excellent heat transfer and utilise Trench IGBT technology. Typical applications include 3-level DC-AC Inverters and UPS power supplies.

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.



IGBT Modules, Semikron


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง