Semikron Danfoss SKM400GB12E4 Dual IGBT Module, 616 A 1200 V, 7-Pin SEMITRANS3, Screw Mount

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB12,795.15

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB13,690.81

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 6 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • เพิ่มอีก 12 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 21 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • เพิ่มอีก 48 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 11 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 1THB12,795.15
2 - 4THB12,195.06
5 +THB11,921.92

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
125-1114
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SKM400GB12E4
ผู้ผลิต:
Semikron Danfoss
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Semikron Danfoss

Maximum Continuous Collector Current

616 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

20V

Number of Transistors

2

Configuration

Dual

Package Type

SEMITRANS3

Mounting Type

Screw Mount

Channel Type

N

Pin Count

7

Switching Speed

12kHz

Transistor Configuration

Half Bridge

Dimensions

106.4 x 61.4 x 30.5mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-40 °C

COO (Country of Origin):
SK

Dual IGBT Modules


A range of SEMITOP® IGBT modules from Semikron incorporating two series-connected (half bridge) IGBT devices. The modules are available in a wide range of voltage and current ratings and are suitable for a variety of power switching applications such as AC inverter motor drives and Uninterruptible Power Supplies.

Compact SEMITOP® package
Suitable for switching frequencies up to 12kHz
Insulated copper baseplate using Direct Bonded Copper technology


IGBT Modules, Semikron


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง