Semikron Danfoss SKM300GB12E4, Type N-Channel IGBT Module, 422 A 1200 V, 7-Pin SEMITRANS, Screw

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB10,277.47

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB10,996.89

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 1THB10,277.47
2 - 4THB9,795.90
5 +THB9,576.27

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
125-1113
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SKM300GB12E4
ผู้ผลิต:
Semikron Danfoss
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Semikron Danfoss

Maximum Continuous Collector Current Ic

422A

Product Type

IGBT Module

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Number of Transistors

2

Package Type

SEMITRANS

Mount Type

Screw

Channel Type

Type N

Pin Count

7

Switching Speed

12kHz

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

175°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.1V

Maximum Operating Temperature

-40°C

Height

30.5mm

Width

61.4 mm

Standards/Approvals

No

Length

106.4mm

Series

SKM300GB12E4

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
SK

Dual IGBT Modules


A range of SEMITOP® IGBT modules from Semikron incorporating two series-connected (half bridge) IGBT devices. The modules are available in a wide range of voltage and current ratings and are suitable for a variety of power switching applications such as AC inverter motor drives and Uninterruptible Power Supplies.

Compact SEMITOP® package

Suitable for switching frequencies up to 12kHz

Insulated copper baseplate using Direct Bonded Copper technology

IGBT Modules, Semikron


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง