Semikron Danfoss SEMiX303GB12E4p, Type N-Channel IGBT Module, 469 A 1200 V, 11-Pin SEMiX3p, Surface

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB10,441.25

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB11,172.14

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 1THB10,441.25
2 - 5THB10,068.33
6 - 11THB9,605.96
12 +THB9,397.12

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
122-0391
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SEMiX303GB12E4p
ผู้ผลิต:
Semikron Danfoss
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Semikron Danfoss

Maximum Continuous Collector Current Ic

469A

Product Type

IGBT Module

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Package Type

SEMiX3p

Mount Type

Surface

Channel Type

Type N

Pin Count

11

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.4V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

150mm

Standards/Approvals

No

Series

Trench

Width

62.4 mm

Height

17mm

Automotive Standard

No

SEMiX® Dual IGBT Modules


Dual IGBT Modules from Semikron in modern low-profile SEMiX® packages suitable for half-bridge power control applications. The modules use solder-free spring or press-fit contacts to allow for a gate driver mounted directly on top of the module, saving space and offering greater connection reliability. Typical applications include AC inverter drives, UPS, Electronic Welding and Renewable Energy Systems.

For suitable press-fit gate driver modules see 122-0385 to 122-0387

• Low profile solder-free mounting package

• Trenchgate technology IGBTs

• VCE(sat) has positive temperature coefficient

• High short circuit current capability

• Press-fit pins as auxiliary contacts

• UL recognized

IGBT Modules, Semikron


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง