onsemi NGTB40N65FL2WG, Type N-Channel IGBT-Field Stop II, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- RS Stock No.:
- 842-7905
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NGTB40N65FL2WG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB327.90
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB350.86
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 22 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 6 | THB163.95 | THB327.90 |
| 8 - 14 | THB159.855 | THB319.71 |
| 16 + | THB157.395 | THB314.79 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 842-7905
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NGTB40N65FL2WG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 80A | |
| Product Type | IGBT-Field Stop II | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 366W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Switching Speed | 1MHz | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 16.25 mm | |
| Height | 5.3mm | |
| Length | 21.34mm | |
| Series | Field Stop | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 80A | ||
Product Type IGBT-Field Stop II | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 366W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Switching Speed 1MHz | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 16.25 mm | ||
Height 5.3mm | ||
Length 21.34mm | ||
Series Field Stop | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi 80 A 650 V Through Hole
- onsemi 70 A 650 V Through Hole
- onsemi NGTB35N65FL2WG 70 A 650 V Through Hole
- onsemi AFGHL40T65SPD 80 A 650 V Through Hole
- onsemi AFGHL40T65SQ 80 A 650 V Through Hole
- onsemi 80 A 650 V Through Hole
- STMicroelectronics 40 A 650 V Through Hole
- STMicroelectronics STGWT20H65FB 40 A 650 V Through Hole