onsemi, Type N-Channel IGBT-Ultra Field Stop, 25 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- RS Stock No.:
- 145-3284
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NGTB25N120FL3WG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB4,660.41
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB4,986.63
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | THB155.347 | THB4,660.41 |
| 60 - 90 | THB151.971 | THB4,559.13 |
| 120 + | THB148.594 | THB4,457.82 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 145-3284
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NGTB25N120FL3WG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | IGBT-Ultra Field Stop | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 25A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 349W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Switching Speed | 1MHz | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.7V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Series | Field Stop | |
| Length | 20.8mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 16.25 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type IGBT-Ultra Field Stop | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 25A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 349W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Switching Speed 1MHz | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±30 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.7V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Series Field Stop | ||
Length 20.8mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 16.25 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.