Semikron Danfoss SKM100GB125DN, Type N-Channel Dual Half Bridge IGBT Module, 100 A 1200 V, 7-Pin SEMITRANS, Panel

RS Stock No.:: 468-2410
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SKM100GB125DN
ผู้ผลิต:: Semikron Danfoss

Semikron Danfoss SKM100GB125DN, Type N-Channel Dual Half Bridge IGBT Module, 100 A 1200 V, 7-Pin SEMITRANS, Panel

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB6,443.42

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB6,894.46

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 164 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 20 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 9	THB6,443.42
10 - 49	THB6,440.01
50 - 99	THB6,057.43
100 - 249	THB5,927.96
250 +	THB5,799.11

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 468-2410
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SKM100GB125DN
ผู้ผลิต:: Semikron Danfoss

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Semikron Danfoss
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Continuous Collector Current Ic	100A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Number of Transistors	2
	Package Type	SEMITRANS
	Configuration	Dual Half Bridge
	Mount Type	Panel
	Channel Type	Type N
	Pin Count	7
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	3.85V
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Operating Temperature	-40°C
	Length	94.5mm
	Standards/Approvals	No
	Height	30.5mm
	Width	34.5 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Semikron Danfoss
	Product Type IGBT Module
	Maximum Continuous Collector Current Ic 100A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Number of Transistors 2
	Package Type SEMITRANS
	Configuration Dual Half Bridge
	Mount Type Panel
	Channel Type Type N
	Pin Count 7
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 3.85V
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Operating Temperature -40°C
	Length 94.5mm
	Standards/Approvals No
	Height 30.5mm
	Width 34.5 mm
	Automotive Standard No

Dual IGBT Modules

A range of SEMITOP® IGBT modules from Semikron incorporating two series-connected (half bridge) IGBT devices. The modules are available in a wide range of voltage and current ratings and are suitable for a variety of power switching applications such as AC inverter motor drives and Uninterruptible Power Supplies.

Compact SEMITOP® package

Suitable for switching frequencies up to 12kHz

Insulated copper baseplate using Direct Bonded Copper technology

IGBT Modules, Semikron

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Semikron Danfoss SKM100GB125DN, Type N-Channel Dual Half Bridge IGBT Module, 100 A 1200 V, 7-Pin SEMITRANS, Panel

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Dual IGBT Modules

IGBT Modules, Semikron

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง