Infineon FP100R12N2T7BPSA2, N-Channel Common Emitter IGBT, 100 A 1200 V, 31-Pin Module, Panel
- RS Stock No.:
- 273-2919
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FP100R12N2T7BPSA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 15 ชิ้น)*
THB46,293.98
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB49,534.56
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อถาด* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | THB3,086.265 | THB46,293.98 |
| 30 + | THB2,829.071 | THB42,436.07 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-2919
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FP100R12N2T7BPSA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 100A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20mW | |
| Number of Transistors | 7 | |
| Configuration | Common Emitter | |
| Package Type | Module | |
| Mount Type | Panel | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 31 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.72V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 20.5mm | |
| Length | 122mm | |
| Standards/Approvals | IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | |
| Width | 62mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 100A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20mW | ||
Number of Transistors 7 | ||
Configuration Common Emitter | ||
Package Type Module | ||
Mount Type Panel | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 31 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.72V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 20.5mm | ||
Length 122mm | ||
Standards/Approvals IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | ||
Width 62mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon three phase PIM IGBT module with TRENCHSTOP IGBT7, emitter controlled 7 diode and NTC. The PIM (Power Integrated Modules) with integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings.
High reliability and power density
Copper base plate for optimized heat spread
High power density
Solder contact technology
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon FP100R12N2T7BPSA2 100 A 1200 V Panel
- Infineon FP75R12N2T7BPSA2 75 A 1200 V Panel
- Infineon FS50R12KT3BPSA1 75 A 1200 V Panel
- Infineon FS50R12W1T7B11BOMA1 50 A 1200 V Module, Panel
- Infineon FP100R12N2T7BPSA1 100 A 1200 V Chassis
- Infineon FP75R12N2T7B11BPSA1 75 A 1200 V Chassis
- onsemi FGY4L100T120SWD 200 A 1200 V Through Hole
- Infineon TDB6HK124N16RRBPSA1 70 A 1200 V Panel
