Infineon FS50R12W1T7B11BOMA1, Type N-Channel Common Emitter IGBT, 50 A 1200 V Module, Panel
- RS Stock No.:
- 273-2931
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FS50R12W1T7B11BOMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 24 ชิ้น)*
THB38,517.024
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB41,213.208
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อถาด* |
|---|---|---|
| 24 - 24 | THB1,604.876 | THB38,517.02 |
| 48 + | THB1,471.136 | THB35,307.26 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-2931
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FS50R12W1T7B11BOMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 50A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20mW | |
| Number of Transistors | 6 | |
| Configuration | Common Emitter | |
| Package Type | Module | |
| Mount Type | Panel | |
| Channel Type | Type N | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.64V | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Height | 16.4mm | |
| Length | 62.8mm | |
| Width | 33.8 mm | |
| Standards/Approvals | EN61140, IEC61140 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 50A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20mW | ||
Number of Transistors 6 | ||
Configuration Common Emitter | ||
Package Type Module | ||
Mount Type Panel | ||
Channel Type Type N | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.64V | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Height 16.4mm | ||
Length 62.8mm | ||
Width 33.8 mm | ||
Standards/Approvals EN61140, IEC61140 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IGBT module with TRENCHSTOP IGBT7, emitter controlled 7 diode, NTC and pressFIT contact technology.
High power density
Compact design