Infineon FP75R12N2T7B11BPSA1, Type N-Channel IGBT, 75 A 1200 V, 31-Pin Module, Chassis
- RS Stock No.:
- 232-6717
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FP75R12N2T7B11BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB4,436.12
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB4,746.65
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB4,436.12 |
| 10 - 19 | THB4,347.62 |
| 20 - 29 | THB4,260.43 |
| 30 - 39 | THB4,175.43 |
| 40 + | THB4,091.74 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 232-6717
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FP75R12N2T7B11BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 75A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Number of Transistors | 7 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20mW | |
| Package Type | Module | |
| Mount Type | Chassis | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 31 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.55V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 107.5mm | |
| Height | 21.3mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Series | FP75R12N2T7_B11 | |
| Width | 45 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 75A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Number of Transistors 7 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20mW | ||
Package Type Module | ||
Mount Type Chassis | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 31 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.55V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 107.5mm | ||
Height 21.3mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Series FP75R12N2T7_B11 | ||
Width 45 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon's EconoPIM 2, 75 A three phase PIM IGBT module comes with TRENCHSTOP IGBT7, Emitter Controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology. The PIM (Power Integrated Modules) with integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings. Potential applications include auxiliary inverters, motor drives and servo drives.
RoHS-compliant modules
Copper base plate for optimized heat spread
High power density