onsemi FGY4L100T120SWD, Type N-Channel Common Emitter IGBT, 200 A 1200 V, 4-Pin TO-247-4L, Through Hole

RS Stock No.:: 277-076
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FGY4L100T120SWD
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi FGY4L100T120SWD, Type N-Channel Common Emitter IGBT, 200 A 1200 V, 4-Pin TO-247-4L, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB468.58

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB501.38

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 20 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 9	THB468.58
10 - 99	THB421.58
100 - 499	THB388.92
500 - 999	THB360.72
1000 +	THB323.11

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 277-076
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FGY4L100T120SWD
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Product Type	IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic	200A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.07kW
	Number of Transistors	1
	Package Type	TO-247-4L
	Configuration	Common Emitter
	Mount Type	Through Hole
	Channel Type	Type N
	Pin Count	4
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	22.54mm
	Length	15.8mm
	Width	5 mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Product Type IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic 200A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.07kW
	Number of Transistors 1
	Package Type TO-247-4L
	Configuration Common Emitter
	Mount Type Through Hole
	Channel Type Type N
	Pin Count 4
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 22.54mm
	Length 15.8mm
	Width 5 mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - FGY4L100T120SWD

COO (Country of Origin):: CN

The ON Semiconductor IGBT and Gen7 Diode in a TO247 4-lead package offer optimal performance with low switching and conduction losses, enabling high-efficiency operations. These components are designed for use in various applications such as solar inverters, uninterruptible power supplies (UPS), and energy storage systems (ESS), providing reliable and efficient power management in these demanding environments.

High current capability

Smooth and optimized switching

Low switching loss

RoHS compliant

onsemi FGY4L100T120SWD, Type N-Channel Common Emitter IGBT, 200 A 1200 V, 4-Pin TO-247-4L, Through Hole

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง