Infineon FP75R12N2T7BPSA2, Type N-Channel Common Emitter IGBT, 75 A 1200 V, 31-Pin EconoPIM2, Panel
- RS Stock No.:
- 273-2927
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FP75R12N2T7BPSA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 15 ชิ้น)*
THB65,755.905
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB70,358.82
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 15 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อถาด* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | THB4,383.727 | THB65,755.91 |
| 30 + | THB4,018.411 | THB60,276.17 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-2927
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FP75R12N2T7BPSA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 75A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Number of Transistors | 7 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20mW | |
| Configuration | Common Emitter | |
| Package Type | EconoPIM2 | |
| Mount Type | Panel | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 31 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.77V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 45 mm | |
| Length | 107.5mm | |
| Height | 20.5mm | |
| Standards/Approvals | IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 75A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Number of Transistors 7 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20mW | ||
Configuration Common Emitter | ||
Package Type EconoPIM2 | ||
Mount Type Panel | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 31 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.77V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 45 mm | ||
Length 107.5mm | ||
Height 20.5mm | ||
Standards/Approvals IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon three phase PIM IGBT module with IGBT7, emitter controlled 7 diode and NTC. The PIM (Power Integrated Modules) with integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings.
High reliability and power density
Copper base plate for optimized heat spread
High power density
Solder contact technology
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 75 A 1200 V Panel
- Infineon FP100R12N2T7BPSA2 100 A 1200 V Panel
- Infineon 100 A 1200 V Panel
- onsemi FGY4L75T120SWD 75 A 1200 V Through Hole
- Infineon FS50R12KT3BPSA1 75 A 1200 V Panel
- Infineon 75 A 1200 V Panel
- Infineon FS50R12W1T7B11BOMA1 50 A 1200 V Module, Panel
- onsemi FGY4L160T120SWD 160 A 1200 V Through Hole