Infineon FP100R12KT4BOSA1 IGBT Module 1200 V

RS Stock No.:: 244-5380
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FP100R12KT4BOSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon FP100R12KT4BOSA1 IGBT Module 1200 V

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB8,070.24

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB8,635.16

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 เมษายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 1	THB8,070.24
2 - 2	THB7,908.83
3 - 3	THB7,750.66
4 - 4	THB7,595.64
5 +	THB7,443.72

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 244-5380
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FP100R12KT4BOSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Number of Transistors	7
	Maximum Power Dissipation Pd	515W
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	62mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Series	FP100R12KT4
	Length	122mm
	Height	17mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Number of Transistors 7
	Maximum Power Dissipation Pd 515W
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 62mm
	Standards/Approvals RoHS
	Series FP100R12KT4
	Length 122mm
	Height 17mm
	Automotive Standard No

Datasheet - FP100R12KT4BOSA1

Infineon FP100R12KT4 Series IGBT Module, 1200V Max Collector-Emitter Voltage, 515W Maximum Power Dissipation - FP100R12KT4BOSA1

This IGBT module is a high-voltage switching component designed for power-electronics applications requiring elevated voltage handling and thermal endurance. It is intended to manage significant power dissipation in industrial environments and operates across a wide temperature range, offering compatibility where automotive-grade alternatives are not required.

Features and Benefits:

• 1200 V blocking capability enabling high-voltage switching
• 515 W power dissipation capacity for heavy-duty loads
• VGE limit of 20 V for controlled gate-drive design
• VCE(sat) of 2.1 V reducing conduction losses under load
• Seven-transistor configuration providing dense switching topology
• 150 °C maximum junction rating for high-temperature operation

Applications

• Suitable for industrial motor-drive inverter stages
• Ideal for medium-voltage power converters and UPS systems
• Used with high-power switching arrays in renewable inverters
• Can be used for traction and heavy-equipment power modules

What gate-drive constraint should be observed?

The device requires gate-emitter voltages not exceeding 20 V to prevent gate damage.

How does thermal tolerance affect cooling design?

A maximum operating temperature of 150 °C permits smaller heatsink margins but still requires an adequate thermal Interface and cooling for continuous 515 W dissipation.

What electrical stress does the module withstand during blocking?

It is specified to withstand collector-emitter voltages up to 1200 V in off-state conditions.

How many switching elements are present internally?

The module contains seven transistors to support multi-switch topologies.

Are there any material restrictions for selection?

The unit conforms to RoHS requirements and therefore excludes certain restricted substances.