Infineon FP100R12KT4BOSA1 IGBT Module 1200 V
- RS Stock No.:
- 244-5380
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FP100R12KT4BOSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB8,070.24
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB8,635.16
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 1 | THB8,070.24 |
| 2 - 2 | THB7,908.83 |
| 3 - 3 | THB7,750.66 |
| 4 - 4 | THB7,595.64 |
| 5 + | THB7,443.72 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 244-5380
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FP100R12KT4BOSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Number of Transistors | 7 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 515W | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 62 mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 122mm | |
| Series | FP100R12KT4 | |
| Height | 17mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Number of Transistors 7 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 515W | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.1V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 62 mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 122mm | ||
Series FP100R12KT4 | ||
Height 17mm | ||
Automotive Standard No | ||
The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 200 A and collector-emitter saturation voltag 2.20 V, gate threshold voltage is 6.4 V.
Collector-emitter cut-off current 1.0 mA
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 100 nA
Reverse transfer capacitance 0.27 nF
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IGBT Module 1200 V
- Infineon FP15R12W1T4BOMA1 IGBT Module 1200 V
- Infineon FP25R12W2T4BOMA1 IGBT Module 1200 V
- Infineon FP25R12W2T4B11BOMA1 IGBT Module 1200 V
- Infineon FP100R12KT4B11BOSA1 IGBT Module 1200 V
- Infineon FP75R12KT4B11BOSA1 IGBT Module 1200 V
- Infineon FP10R12W1T4BOMA1 IGBT Module 1200 V
- Infineon F475R06W1E3BOMA1 IGBT Module 1200 V