Infineon IGW50N65H5FKSA1 IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- RS Stock No.:
- 110-7157
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGW50N65H5FKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 4 ชิ้น)*
THB488.492
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB522.688
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 192 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 4 - 4 | THB122.123 | THB488.49 |
| 8 - 12 | THB119.068 | THB476.27 |
| 16 + | THB117.238 | THB468.95 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 110-7157
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGW50N65H5FKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Power Dissipation | 305 W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Dimensions | 16.13 x 5.21 x 21.1mm | |
| Energy Rating | 0.7mJ | |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C | |
| Gate Capacitance | 3000pF | |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 50 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Maximum Power Dissipation 305 W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mounting Type Through Hole | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Transistor Configuration Single | ||
Dimensions 16.13 x 5.21 x 21.1mm | ||
Energy Rating 0.7mJ | ||
Minimum Operating Temperature -40 °C | ||
Gate Capacitance 3000pF | ||
Maximum Operating Temperature +175 °C | ||
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
Collector-emitter voltage range 600 to 650V
Very low VCEsat
Low turn-off losses
Short tail current
Low EMI
Maximum junction temperature 175°C
Very low VCEsat
Low turn-off losses
Short tail current
Low EMI
Maximum junction temperature 175°C
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IGW50N65H5FKSA1 IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon IKWH50N65WR6XKSA1 Single IGBT 3-Pin TO-247-3-HCC, Through Hole
- STMicroelectronics STGWA30H65DFB2 IGBT 3-Pin TO-247
- onsemi AFGHL50T65SQ IGBT 3-Pin TO-247
- onsemi AFGHL50T65SQD IGBT 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics STGB30H65DFB2 IGBT 3-Pin D2PAK (TO-263)
- ROHM RGW00TS65DHRC11 Single IGBT 3-Pin TO-247N, Through Hole
- ROHM RGW00TS65HRC11 Single IGBT 3-Pin TO-247N, Through Hole
