Infineon IKW50N65ES5XKSA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- RS Stock No.:
- 133-8575
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKW50N65ES5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 240 ชิ้น)*
THB29,008.56
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB31,039.20
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 240 - 240 | THB120.869 | THB29,008.56 |
| 480 - 720 | THB118.241 | THB28,377.84 |
| 960 + | THB115.613 | THB27,747.12 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 133-8575
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKW50N65ES5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Maximum Power Dissipation | 274 W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 3 | |
| Switching Speed | 30kHz | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Dimensions | 16.13 x 5.21 x 21.1mm | |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C | |
| Gate Capacitance | 3100pF | |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
| Energy Rating | 1.78mJ | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 80 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Number of Transistors 1 | ||
Maximum Power Dissipation 274 W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mounting Type Through Hole | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Switching Speed 30kHz | ||
Transistor Configuration Single | ||
Dimensions 16.13 x 5.21 x 21.1mm | ||
Minimum Operating Temperature -40 °C | ||
Gate Capacitance 3100pF | ||
Maximum Operating Temperature +175 °C | ||
Energy Rating 1.78mJ | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
• Collector-emitter voltage range 600 to 650V
• Very low VCEsat
• Low turn-off losses
• Short tail current
• Low EMI
• Maximum junction temperature 175°C
• Very low VCEsat
• Low turn-off losses
• Short tail current
• Low EMI
• Maximum junction temperature 175°C
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IKW50N65ES5XKSA1 IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon IKW75N65ES5XKSA1 IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- onsemi NGTB40N65FL2WG IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- STMicroelectronics STGW60H65DFB IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- STMicroelectronics STGW40H65FB IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- STMicroelectronics STGW40H65DFB IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- onsemi AFGHL40T65SPD IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- onsemi AFGHL50T65SQD IGBT 3-Pin TO-247