Infineon, Type N-Channel IGBT, 85 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- RS Stock No.:
- 215-6633
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGW30N65L5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB2,325.03
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,487.78
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 180 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 60 | THB77.501 | THB2,325.03 |
| 90 - 120 | THB74.40 | THB2,232.00 |
| 150 + | THB72.458 | THB2,173.74 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 215-6633
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGW30N65L5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 85A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 227W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Series | LowVCE(sat) Fifth Generation | |
| Standards/Approvals | Pb-free lead plating, RoHS, JEDEC | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 85A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 227W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±30 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Series LowVCE(sat) Fifth Generation | ||
Standards/Approvals Pb-free lead plating, RoHS, JEDEC | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon fifth generation insulated-gate bipolar transistor with low saturation voltage.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 85 A 650 V Through Hole
- Infineon IGW30N65L5XKSA1 85 A 650 V Through Hole
- Infineon 85 A 650 V Through Hole
- Infineon IKZ50N65EH5XKSA1 85 A 650 V Through Hole
- Infineon IKW30N65EL5XKSA1 85 A 650 V Through Hole
- Infineon 75 A 650 V Through Hole
- Infineon 60 A 650 V Through Hole
- Infineon 100 A 650 V Through Hole