Infineon IKZ75N65EH5XKSA1, Type N-Channel IGBT, 75 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole
- RS Stock No.:
- 273-2988
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKZ75N65EH5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB220.64
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB236.08
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 177 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 4 | THB220.64 |
| 5 - 9 | THB216.39 |
| 10 - 24 | THB200.67 |
| 25 - 49 | THB184.09 |
| 50 + | THB170.06 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-2988
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKZ75N65EH5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 75A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 395W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 4 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC, RoHS | |
| Width | 16.13 mm | |
| Length | 21.1mm | |
| Height | 5.21mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 75A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 395W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 4 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals JEDEC, RoHS | ||
Width 16.13 mm | ||
Length 21.1mm | ||
Height 5.21mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IGBT offers the technology in a high power package with an extra Kelvin emitter pin. The TO-247 4pin provides ultra-low inductance to the gate-emitter control loop and brings TRENCHSTOP 5 IGBT to the next level of best in class switching perf
Benefit increase at high current conditions
IGBTs operates under lower junction temperature
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IKZ75N65EH5XKSA1 75 A 650 V Through Hole
- Infineon IKW75N120CH7XKSA1 75 A 1200 V Through Hole
- Infineon IKZ75N65EL5XKSA1 100 A 650 V Through Hole
- onsemi FCH Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247 FCH023N65S3L4
- onsemi NTH4LN019N Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NTH4LN019N65S3H
- onsemi FCH Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- onsemi NTH4LN019N Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- Infineon IGB20N65S5ATMA1 40 A 650 V Through Hole
