Infineon IGW30N65L5XKSA1, Type N-Channel IGBT, 85 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB659.21

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB705.355

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 190 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 5THB131.842THB659.21
10 - 95THB128.546THB642.73
100 - 245THB125.336THB626.68
250 - 495THB122.204THB611.02
500 +THB119.148THB595.74

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
215-6634
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IGW30N65L5XKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

85A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

227W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.5V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±30 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

Pb-free lead plating, RoHS, JEDEC

Series

LowVCE(sat) Fifth Generation

Automotive Standard

No

The Infineon fifth generation insulated-gate bipolar transistor with low saturation voltage.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง