Infineon IKZ50N65EH5XKSA1, Type N-Channel IGBT, 85 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB349.26

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB373.70

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 236 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 8THB174.63THB349.26
10 - 98THB170.265THB340.53
100 - 248THB166.005THB332.01
250 - 498THB161.855THB323.71
500 +THB157.81THB315.62

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
215-6677
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IKZ50N65EH5XKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

85A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

273W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

4

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±30 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.65V

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

High Speed Fifth Generation

Standards/Approvals

JEDEC

Automotive Standard

No

The Infineon 650v duopack insulated-gate bipolar transistor and diode copacked with rapid 1 fast and soft antiparallel diode.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง