Infineon, Type N-Channel IGBT, 60 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- RS Stock No.:
- 232-6735
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKWH30N65WR5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB2,194.53
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,348.16
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 90 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | THB73.151 | THB2,194.53 |
| 60 - 60 | THB69.495 | THB2,084.85 |
| 90 + | THB66.011 | THB1,980.33 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 232-6735
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKWH30N65WR5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 60A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 190W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.65V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC47/20/22 | |
| Series | IKWH30N65WR5 | |
| Width | 16.13 mm | |
| Length | 21.1mm | |
| Height | 5.21mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 60A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Number of Transistors 1 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 190W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.65V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals JEDEC47/20/22 | ||
Series IKWH30N65WR5 | ||
Width 16.13 mm | ||
Length 21.1mm | ||
Height 5.21mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon's 30 A reverse conducting TRENCHSTOP 5 WR5 IGBT comes in high creep age and clearance TO-247-3-HCC package. It is specifically optimized for PFC stage in RAC / CAC and DC/DC in Welding application. Excellent price/performance ratio of WR5 IGBT allows access to the high performance technology also for price sensitive customers. WR5 IGBT in TO-247-3-HCC also enable more reliable design with the increased clearance and creep age distances.
Monolithically integrated diode
Stable temperature behaviour
Improved reliability against package contamination
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 60 A 650 V Through Hole
- Infineon IKWH30N65WR5XKSA1 60 A 650 V Through Hole
- Infineon 60 A 650 V Through Hole
- Infineon 60 A 650 V Through Hole
- Infineon IKWH60N65WR6XKSA1 60 A 650 V Through Hole
- STMicroelectronics 60 A 650 V Through Hole
- STMicroelectronics STGWA30IH65DF 60 A 650 V Through Hole
- Infineon IKFW75N65ES5XKSA1 60 A 650 V Through Hole