STMicroelectronics STGP10NC60KD, Type N-Channel IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole
- RS Stock No.:
- 168-6468
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGP10NC60KD
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB1,869.15
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,000.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 20 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB37.383 | THB1,869.15 |
| 100 - 150 | THB36.57 | THB1,828.50 |
| 200 + | THB35.757 | THB1,787.85 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 168-6468
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGP10NC60KD
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 20A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 600V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 25W | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Switching Speed | 1MHz | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 10.4mm | |
| Height | 9.15mm | |
| Width | 4.6 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 20A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 25W | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Switching Speed 1MHz | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.5V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 10.4mm | ||
Height 9.15mm | ||
Width 4.6 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics 20 A 600 V Through Hole
- STMicroelectronics 20 A 600 V Surface
- STMicroelectronics STGB10NC60KDT4 20 A 600 V Surface
- STMicroelectronics STGB10NC60HDT4 20 A 600 V Surface
- Infineon 20 A 600 V Surface
- Infineon 20 A 600 V Surface
- Infineon IKD10N60RATMA1 20 A 600 V Surface
- Infineon IGB10N60TATMA1 20 A 600 V Surface